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[반도체실무과정] 8대공정 ETCHING

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학습시간: 11시간 (총10강) 수강료: 32,670원
NCS 분류:
반도체제조(19030602) 강의 더보기
강좌구성:
11시간 (10강)
수강기간:
30일
수료기준:
진도율 80%이상, 시험 2회, 과제 0회

신청유형

학습기간

수강료 32,670
총 결제금액 32,670
  • 과정소개

    - TP 1개의 Layout → Si에 구현시 형상 → Tilt 구조로 설명합니다.

    - 식각 공정의 목적과 방법을 소개합니다, 동방성, 이방성 소개와 건식 식각, 습식식각, 식각시 나타나는 불량을 소개합니다.

    - 플라즈마, 쉬즈가 무엇인지, 플라즈마의 특징과 종류/ 식각원리/ 식각의 종류 등을 설명합니다.

  • 학습대상

    - 반도체 제조 공정 관련 직무 종사자 

  • 학습목표

    - Etching 공정의 개요와 용어를 설명할 수 있다.

    - 플라즈마의 생성과 특징을 설명할 수 있다.

    - 다양한 Etching 공정의 장점과 단점을 숙지하고 원리를 설명할 수 있다.​ 

  • 교수소개

    엄 중 섭

     

    [경력]

    - 현)한국반도체기술교육원​

     

    - 삼성전자주식회사/SOC PIE그룹(E6 수석)​

  • 학습내용
    차시 내용
    1차시 Etch 과정 개요와 Transister/CMOS Vertical 구조
    2차시 Etch 공정의 정의와 용어
    3차시 Etch 공정의 목적과 플라즈마의 개념
    4차시 플라즈마의 생성과 특징
    5차시 플라즈마의 종류와 응용, Dry Etch의 원리
    6차시 Dry 식각 방식의 이해와 요구사항
    7차시 Dry Etch 장비의 구조
    8차시 건식 식각 공정
    9차시 습식 식각 공정
    10차시 Etch 불량 사례와 Etch 엔지니어 실무
  • 평가기준
    평가항목 진도율 시험 과제 진행단계평가 수료기준
    평가비율 - 80% 0% 20% -
    수료조건 80% 이상 0점 이상 0점 이상 0점 이상 60점 이상