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- TP 1개의 Layout → Si에 구현시 형상 → Tilt 구조로 설명합니다.
- 식각 공정의 목적과 방법을 소개합니다, 동방성, 이방성 소개와 건식 식각, 습식식각, 식각시 나타나는 불량을 소개합니다.
- 플라즈마, 쉬즈가 무엇인지, 플라즈마의 특징과 종류/ 식각원리/ 식각의 종류 등을 설명합니다.
*해당 과정은 인정신청 유효기간 만료로 2024.12.01.(일) 개강반부터 NCS 수료증 발급이 되지 않사오니, 양해 부탁드립니다.
*12월까지 운영 후 폐강될 예정이오니, 수강에 참고 부탁드립니다.
- 반도체 제조 공정 관련 직무 종사자
- Etching 공정의 개요와 용어를 설명할 수 있다.
- 플라즈마의 생성과 특징을 설명할 수 있다.
- 다양한 Etching 공정의 장점과 단점을 숙지하고 원리를 설명할 수 있다.
엄 중 섭
[경력]
- 현)한국반도체기술교육원
- 삼성전자주식회사/SOC PIE그룹(E6 수석)
차시 | 내용 |
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1차시 | Etch 과정 개요와 Transister/CMOS Vertical 구조 |
2차시 | Etch 공정의 정의와 용어 |
3차시 | Etch 공정의 목적과 플라즈마의 개념 |
4차시 | 플라즈마의 생성과 특징 |
5차시 | 플라즈마의 종류와 응용, Dry Etch의 원리 |
6차시 | Dry 식각 방식의 이해와 요구사항 |
7차시 | Dry Etch 장비의 구조 |
8차시 | 건식 식각 공정 |
9차시 | 습식 식각 공정 |
10차시 | Etch 불량 사례와 Etch 엔지니어 실무 |
수료기준 | ||||
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총 진도율 | 중간평가 | 최종평가 | 과제 | |
80% 이상 | 평가비율 10% 반영 | 평가비율 90% 반영 | - | |
반영된 평가 합산 60점 이상 |