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반도체 실무 온라인 실습 과정(소자+핵심공정)
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신청유형
35,000 원
찜 311
수강후기 (613)
과정정보
커리큘럼
수강후기
기본순
- K디지털k*******02025-04-02
- K디지털a*******92025-04-01
반도체 기초에 대해 학습하는데 많은 도움이 되었습니다.
- K디지털k*****k2025-03-31
어렵지만 유익해요
- K디지털j*****72025-03-31
과정소개
※ 본 과정은 NCS 코드가 발급 되지 않습니다.
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학습대상
1)반도체 소자 및 주요 공정의 기초부터 실전까지 탄탄히 배우고 싶은 자
2)반도체 분야로 취직, 이직을 목표하는 취업준비생 및 커리어 전환자
3)반도체 개발, 제조 공정 관련 직무에 관심이 있는자
4)반도체 분야에 관심이 있는자학습목표
1) 반도체 물성과 소자에 대해 이해 할 수 있다.
2) 포토 공정의 흐름과 최신 포토공정 기술에 대해 이해 할 수 있다.
3) 식각 공정의 기초와 식각 공정 실무에 대해 이해 할 수 있다.
4) 박막 증착 공정의 기초와 화학적 기상 증착, 원자층 증착 공정에 대해 이해 할 수 있다. 교수소개
<김형섭>
-경력: 25년
- 前 삼성전자 반도체연구소 그룹장
- 前 삼성전자 반도체연구소 수석연구원
- 前 삼성전자 반도체연구소 선행개발그룹장
- 前 삼성전자 사내강사 및 전공면접관
- KAIST 공학과 학사/석사/박사
학습내용
| 차시 | 내용 |
|---|---|
| 1차시 | 반도체물성 - Si원자와 에너지 개념 |
| 2차시 | 반도체물성 - 에너지 밴드 |
| 3차시 | 반도체물성 - 진성/외인성 반도체 |
| 4차시 | 반도체물성 - 페르미레벨과 캐리어농도 |
| 5차시 | 반도체물성 - 평형상태의 캐리어생성과 과잉캐리어 |
| 6차시 | 반도체물성 - 반도체 내의 전류 |
| 7차시 | 반도체소자 - 경사 불순물 분포 |
| 8차시 | 반도체소자 - 열평형 상태의 다이오드 |
| 9차시 | 반도체소자 - 순/역방향 다이오드 |
| 10차시 | 반도체소자 - MOSFET |
| 11차시 | ★실습과제★ 반도체 소자 |
| 12차시 | 포토 공정의 개요 |
| 13차시 | 포토 공정 흐름 |
| 14차시 | 포토 레지스트 |
| 15차시 | 노광 공정 |
| 16차시 | 해상도 개선기술-파장 |
| 17차시 | 해상도 개선기술-NA |
| 18차시 | 해상도 개선기술-공정 Parameter |
| 19차시 | 최신 포토기술-EUV(1) |
| 20차시 | 최신 포토기술-EUV(2) |
| 21차시 | ★실습과제★ 포토공정 |
| 22차시 | 식각 공정의 개요 |
| 23차시 | 습식 식각 공정 |
| 24차시 | 건식 식각 공정 기초(1) |
| 25차시 | 건식 식각 공정 기초(2) |
| 26차시 | 건식 식각 공정의 원리 |
| 27차시 | 건식 식각 공정 주요 식각 설비 |
| 28차시 | 건식 식각 공정 인자 영향 |
| 29차시 | 주요 소재별 건식 식각 특성 |
| 30차시 | 최신 식각 공정 |
| 31차시 | 식각 공정 실무 |
| 32차시 | ★실습과제★ 식각공정 |
| 33차시 | 박막 증착 공정의 개요(1) |
| 34차시 | 박막 증착 공정의 개요 (2) |
| 35차시 | 물리적 기상 증착 공정(PVD) |
| 36차시 | 화학적 기상 증착 (CVD) (1) |
| 37차시 | 화학적 기상 증착 (CVD) (2) |
| 38차시 | 화학적 기상 증착 (CVD) (3) |
| 39차시 | 화학적 기상 증착 (CVD) (4) |
| 40차시 | 원자층 증착 공정 (ALD) (1) |
| 41차시 | 원자층 증착 공정 (ALD) (2) |
| 42차시 | 박막 공정 실무 |
| 43차시 | ★실습과제★ 박막과정 |
수료기준
| 수료기준 | ||||
|---|---|---|---|---|
| 총 진도율 | 중간평가 | 최종평가 | 과제 | |
| 80% 이상 | - | - | 평가비율 100% 반영 | |
| 반영된 평가 합산 0점 이상 | ||||