-반도체 FAB의 이해
반도체 클린룸: 극도로 낮은 파티클과 오염 물질을 제어하는 청정실, 나노 단위 반도체 공정에서 제품의 품질을 유지하기 위해 필수적으로 요구되는 환경
Class: 1 ft 세제곱 안에서 0.5마이크로미터 이하의 먼지의 수에 따라 구분한다.
클린룸 청정도 기준
ISO 기준: 단위 부피당 미립자 개수이다. 각 공정별로 요구하는 기준이 다르다.
photo는 iso3 수준을, etch, deposition은 iso4~5 수준을, packaging은 iso6~7 수준의 iso 기준을 요구한다.
클린룸의 주요 구성 요소
HEPA 필터: 99.97% 이상 제거(0.3 마이크로 미터 입자)
ULPA 필터: 99.9999%이상 제가(0.12 마이크로 미터 입자)
공기 순환 방식: Turbulent 방식> 난류 흐름(ISO5~7)
Laminar 방식: 한 방향 흐름(ISO 3~4)
주로 양압 유지해서 외부 공기 차단
-반도체 FAB의 구조
FAB: Fabrication Facility
3층: Main Fab으로 주요 장비들이 위치하는 층이다.
2층: 전력 공급하는 Power Rack, Transfer Module 존재하는 층이다.
1층: PUMP단 위치하는 층으로 유해물질 필터링을 수행하는 층이다.
SUB FAB
CSF(Clean Sub Fab): 양산 이뤄지는 메인 설비
FSF(Facility Sub Fab): CSF 하부층, 가스 공급, 화학물질 관리, 진공 및 배기 시스템, 전력 및 냉각 시스템 역할을 수행한다.
클린룸의 구성
Smock Room : 방진복 입는 장소
HEFU: Class 100 이상의 고 청정도 클린룸에 사용, 천정 대응
FFU: Class 100 이상의 고 청정도천정대응
댐퍼 : 실내의 정압을 유지, 공기의 흐름 방향 규제
에어샤워: 클린룸 입실 전 신체에 붙은 particle 제거
-총평
Clean Room의 정의 및 구성 요소, Main Fab과 Sub Fab의 역할을 익히게 되었습니다.
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