| 1차시 | 오리엔테이션 | 1. 본 과정의 강사 소개
2. 본 과정의 커리큘럼 소개 |
| 2차시 | 반도체물성 | 1. 반도체의 기본 특성과 전자/정공의 이동
2. 불순물첨가 (N형/P형 반도체)와 에너지 준위 변화
3. 반도체 내 전류 흐름과 드리프트/확산전류 |
| 3차시 | 반도체소자
- PN접합 다이오드 | 1. PN 접합 다이오드의 구조와 열 평형 상태
2. 순방향 및 역방향 바이어스 상태에서의 동작 원리
3. 다이오드의 항복(Breakdown) 현상과 특성 |
| 4차시 | 반도체소자
- MOSFET(1) | 1. MOSFET의 구조와 기본 동작 원리
2. MOS Capacitor의 구조와 동작 모드
3. MOSFET의 문턱 전압(Threshold Voltage) 특성 |
| 5차시 | 반도체소자
- MOSFET(2) | 1. MOSFET의 채널 형성과 동작 원리
2. MOSFET의 동작 영역과 포화(Saturation) 현상
3. MOSFET의 전달 특성(Transfer Characteristic)과 출력 특성(Output Characteristic) |
| 6차시 | ★실습과제★
반도체 소자 | 1. MOSFET의 구조 및 동작 원리 – MOSFET의 4단자(소스, 드레인, 게이트, 기판) 역할 및 동작 모드 학습
2. 공정 변수와 소자 특성 분석 – 게이트 산화막 두께, 채널 이온 주입 농도 등의 공정 변수가 소자 성능에 미치는 영향 분석
3. 실제 데이터 분석 및 공정 최적화 – 측정 데이터를 기반으로 소자의 문턱전압(VT) 및 포화전류(ID) 특성을 평가하고 최적의 공정 조건 도출 |
| 7차시 | 포토 공정 개요 | 1. 포토 공정의 정의와 기본 개념
2. 포토 공정의 주요 단계 및 흐름
3. 포토레지스트(PR)와 노광(Exposure) 원리 |
| 8차시 | 포토 공정 설비 및 소재 | 1. 포토 공정에서 사용되는 트랙 설비의 역할과 구성
2. 노광 설비의 원리 및 노광원(Light Source) 종류
3. Scanner 및 Stepper 방식의 노광 시스템 비교 |
| 9차시 | 포토 공정 인자 및 평가 | 1. 노광 공정에서 회절과 간섭이 해상도에 미치는 영향
2. 포토 공정의 주요 인자(해상도, 초점 심도, NA 등)와 관계
3. 포토 공정 평가 방법(Exposure Latitude, Focus-Exposure Matrix, Overlay) |
| 10차시 | 해상도 개선기술 | 1. 광원의 단파장화 기술 및 발전 과정
2. 고 NA화(ArF Immersion) 기술과 해상도 개선 원리
3. 공정 파라미터 K1 저감 기술과 해상도 극대화 방법 |
| 11차시 | 최신 포토기술
- EUVL | 1. EUVL(Extreme Ultraviolet Lithography) 기술의 원리와 도입 배경
2. EUVL 공정에서 사용되는 광원, 광학계, 마스크의 특성 및 한계점
3. EUVL 포토 레지스트(PR)의 특성과 공정 제어 문제 |
| 12차시 | ★실습과제★
포토 공정 | 1. 포토 공정에서 해상도(Resolution)와 초점심도(DOF) 개선 방법 이해
2. SAQP(Self-Aligned Quadruple Patterning) 공정의 원리 및 진행 과정
3. FEM(Focus Energy Matrix) 분석 및 Bossung Curve 해석 |
| 13차시 | 식각 공정 개요 | 1. 식각 공정의 개념과 주요 역할
2. 식각 공정의 주요 파라미터와 공정 특성
3. 습식 식각 공정의 원리 및 한계점 |
| 14차시 | 진공 및 플라즈마 기술 | 1. 진공 기술과 플라즈마 기술의 개념 및 반도체 공정에서의 역할
2. 진공 펌프의 종류 및 작동 원리
3. 플라즈마 발생 원리와 직류(DC) 및 고주파(RF) 플라즈마의 차이점 |
| 15차시 | 건식 식각 공정 특성 및 설비 | 1. 건식 식각 공정의 개념과 물리적·화학적 식각 방식의 차이점
2. RF 플라즈마 식각 설비의 주요 구성 요소 및 원리
3. 식각 균일도를 개선하기 위한 설비 기능 조절 방법 |
| 16차시 | 건식 식각 공정 인자 영향 | 1. 건식 식각 공정 운전 변수가 식각 속도 및 형상에 미치는 영향
2. 부하(Loading) 효과와 식각 균일성 문제의 원인 및 해결 방법
3. 식각 측면 형상(Profile) 이상 현상의 주요 원인과 보정 방법 |
| 17차시 | 주요 소재별 건식 식각 특성 및 원자층 식각 | 1. 주요 소재별 건식 식각용 반응 가스와 식각 반응 특성
2. 원자층 식각(ALE)의 기본 개념과 기존 RIE(반응성 이온 식각)과의 차이점
3. Plasma-Enhanced ALE(PALE) 방식의 필요성과 응용 분야 |
| 18차시 | ★실습과제★
식각 공정 | 1. SEM 이미지를 활용하여 Bowing, Micro-trenching 등의 식각 불량 현상 원인을 분석하고 해결 방안을 도출
2. 다층 구조의 선택적 식각 공정 이해
3. 식각 공정의 주요 변수(압력, 전력, 가스 조성 등)를 조절하여 원하는 식각 특성을 구현 |
| 19차시 | 박막 증착 공정 개요 | 1. 박막 증착 공정의 개요 및 반도체 제조에서의 역할
2. 박막 증착 공정에서의 주요 파라미터와 공정 조건이 증착 품질에 미치는 영향
3. 박막 증착 공정의 균일도, 접착력, 응력 등의 주요 특성과 제어 방법 |
| 20차시 | 물리적 기상 증착 | 1. 물리적 기상 증착(PVD)의 원리와 반도체 공정에서의 역할
2. 다양한 스퍼터링(Sputtering) 방식과 그 특성 (DC, Magnetron, Reactive Sputtering)
3. Sputtering 공정 운전 변수(압력, 전력, 기판 온도)가 증착 품질에 미치는 영향 |
| 21차시 | 화학적 기상 증착
- 개요 | 1. 화학 기상 증착(CVD)의 원리와 박막 형성 메커니즘
2. CVD 공정의 주요 조건과 박막 품질에 미치는 영향
3. 화학 기상 증착 공정의 종류(APCVD, LPCVD, PECVD)와 특성 비교 |
| 22차시 | 화학적 기상 증착
- 공정 및 설비 | 1. 다양한 CVD 반응기(Reactor) 유형과 각각의 특성
2. AP-CVD, LP-CVD, PE-CVD, HDP-CVD 공정의 원리 및 차이점
3. CVD 공정 방식별 특징과 장단점 비교 |
| 23차시 | 원자층 증착 공정(ALD) | 1. 원자층 증착(ALD)의 원리와 자기 제한적(Self-Limited) 반응 메커니즘
2. ALD와 CVD의 차이점 및 각 공정의 특성 비교
3. PE-ALD(Plasma Enhanced ALD) 및 ALD의 생산성 향상 대책 |
| 24차시 | ★최종 실습과제 안내★
박막 증착 공정 | 1. 스퍼터링(Sputtering)과 PE-CVD 공정의 원리 및 특성 비교
2. 웨이퍼 내 박막 두께 데이터 분석을 통해 균일도 및 공정 변수가 박막 형성에 미치는 영향 평가
3. LPCVD(Low-Pressure CVD) 공정에서 온도, 압력, 가스 유량이 박막 특성에 미치는 영향 분석 |
