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반도체 소자는 전자기기의 핵심 부품으로, 성능과 기능을 결정합니다. 핵심공정은 이러한 소자를 제조하는 단계입니다. 이 강의는 핵심공정 중 주요 3개 공정(포토, 식각, 증착)을 다루고 있습니다. 소자와 공정 지식을 체계적으로 쌓는다면, 반도체 엔지니어에게 필요한 문제 해결력과 리서치 역량을 기를 수 있어요!
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소자부터 증착까지, 반도체 핵심공정 전체 흐름을 한 번에 이해할 수 있어요!
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반도체 공정을 하나하나 따로 배우는 게 아니라, 기초 개념부터 공정 흐름까지 한 번에 정리할 수 있어서 좋았습니다. 기본적인 내용과 전체 구조를 이해하는 데 큰 도움이 됐어요.
생산·품질 관리는 알았지만 반도체 공정 지식이 부족했는데, 이 강의를 통해 반도체 도메인 기초를 채울 수 있었습니다. 기업 지원 전에 필요한 산업 이해를 정리하는 데 도움이 됐어요.
포토, 식각, 박막 공정을 배우고 실습과제를 직접 해보면서 핵심 공정 이해도가 확실히 높아졌습니다. 이론만 듣는 수업이 아니라 직접 해보는 구조라 좋았어요.
반도체를 처음 접한 비전공자였는데 기본 공정 구조를 이해하는 데 도움이 됐습니다. 입문자가 따라가기에도 부담 없는 난이도였어요.
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총 24차시 · 35시간 구성
| 차시 | 주제 | 학습 세부 내용 |
|---|---|---|
| 1차시 | 오리엔테이션 | 1. 본 과정의 강사 소개 2. 본 과정의 커리큘럼 소개 |
| 2차시 | 반도체물성 | 1. 반도체의 기본 특성과 전자/정공의 이동 2. 불순물첨가 (N형/P형 반도체)와 에너지 준위 변화 3. 반도체 내 전류 흐름과 드리프트/확산전류 |
| 3차시 | 반도체소자 - PN접합 다이오드 | 1. PN 접합 다이오드의 구조와 열 평형 상태 2. 순방향 및 역방향 바이어스 상태에서의 동작 원리 3. 다이오드의 항복(Breakdown) 현상과 특성 |
| 4차시 | 반도체소자 - MOSFET(1) | 1. MOSFET의 구조와 기본 동작 원리 2. MOS Capacitor의 구조와 동작 모드 3. MOSFET의 문턱 전압(Threshold Voltage) 특성 |
| 5차시 | 반도체소자 - MOSFET(2) | 1. MOSFET의 채널 형성과 동작 원리 2. MOSFET의 동작 영역과 포화(Saturation) 현상 3. MOSFET의 전달 특성(Transfer Characteristic)과 출력 특성(Output Characteristic) |
| 6차시 | ★실습과제★ 반도체 소자 | 1. MOSFET의 구조 및 동작 원리 – MOSFET의 4단자(소스, 드레인, 게이트, 기판) 역할 및 동작 모드 학습 2. 공정 변수와 소자 특성 분석 – 게이트 산화막 두께, 채널 이온 주입 농도 등의 공정 변수가 소자 성능에 미치는 영향 분석 3. 실제 데이터 분석 및 공정 최적화 – 측정 데이터를 기반으로 소자의 문턱전압(VT) 및 포화전류(ID) 특성을 평가하고 최적의 공정 조건 도출 |
| 7차시 | 포토 공정 개요 | 1. 포토 공정의 정의와 기본 개념 2. 포토 공정의 주요 단계 및 흐름 3. 포토레지스트(PR)와 노광(Exposure) 원리 |
| 8차시 | 포토 공정 설비 및 소재 | 1. 포토 공정에서 사용되는 트랙 설비의 역할과 구성 2. 노광 설비의 원리 및 노광원(Light Source) 종류 3. Scanner 및 Stepper 방식의 노광 시스템 비교 |
| 9차시 | 포토 공정 인자 및 평가 | 1. 노광 공정에서 회절과 간섭이 해상도에 미치는 영향 2. 포토 공정의 주요 인자(해상도, 초점 심도, NA 등)와 관계 3. 포토 공정 평가 방법(Exposure Latitude, Focus-Exposure Matrix, Overlay) |
| 10차시 | 해상도 개선기술 | 1. 광원의 단파장화 기술 및 발전 과정 2. 고 NA화(ArF Immersion) 기술과 해상도 개선 원리 3. 공정 파라미터 K1 저감 기술과 해상도 극대화 방법 |
| 11차시 | 최신 포토기술 - EUVL | 1. EUVL(Extreme Ultraviolet Lithography) 기술의 원리와 도입 배경 2. EUVL 공정에서 사용되는 광원, 광학계, 마스크의 특성 및 한계점 3. EUVL 포토 레지스트(PR)의 특성과 공정 제어 문제 |
| 12차시 | ★실습과제★ 포토 공정 | 1. 포토 공정에서 해상도(Resolution)와 초점심도(DOF) 개선 방법 이해 2. SAQP(Self-Aligned Quadruple Patterning) 공정의 원리 및 진행 과정 3. FEM(Focus Energy Matrix) 분석 및 Bossung Curve 해석 |
| 13차시 | 식각 공정 개요 | 1. 식각 공정의 개념과 주요 역할 2. 식각 공정의 주요 파라미터와 공정 특성 3. 습식 식각 공정의 원리 및 한계점 |
| 14차시 | 진공 및 플라즈마 기술 | 1. 진공 기술과 플라즈마 기술의 개념 및 반도체 공정에서의 역할 2. 진공 펌프의 종류 및 작동 원리 3. 플라즈마 발생 원리와 직류(DC) 및 고주파(RF) 플라즈마의 차이점 |
| 15차시 | 건식 식각 공정 특성 및 설비 | 1. 건식 식각 공정의 개념과 물리적·화학적 식각 방식의 차이점 2. RF 플라즈마 식각 설비의 주요 구성 요소 및 원리 3. 식각 균일도를 개선하기 위한 설비 기능 조절 방법 |
| 16차시 | 건식 식각 공정 인자 영향 | 1. 건식 식각 공정 운전 변수가 식각 속도 및 형상에 미치는 영향 2. 부하(Loading) 효과와 식각 균일성 문제의 원인 및 해결 방법 3. 식각 측면 형상(Profile) 이상 현상의 주요 원인과 보정 방법 |
| 17차시 | 주요 소재별 건식 식각 특성 및 원자층 식각 | 1. 주요 소재별 건식 식각용 반응 가스와 식각 반응 특성 2. 원자층 식각(ALE)의 기본 개념과 기존 RIE(반응성 이온 식각)과의 차이점 3. Plasma-Enhanced ALE(PALE) 방식의 필요성과 응용 분야 |
| 18차시 | ★실습과제★ 식각 공정 | 1. SEM 이미지를 활용하여 Bowing, Micro-trenching 등의 식각 불량 현상 원인을 분석하고 해결 방안을 도출 2. 다층 구조의 선택적 식각 공정 이해 3. 식각 공정의 주요 변수(압력, 전력, 가스 조성 등)를 조절하여 원하는 식각 특성을 구현 |
| 19차시 | 박막 증착 공정 개요 | 1. 박막 증착 공정의 개요 및 반도체 제조에서의 역할 2. 박막 증착 공정에서의 주요 파라미터와 공정 조건이 증착 품질에 미치는 영향 3. 박막 증착 공정의 균일도, 접착력, 응력 등의 주요 특성과 제어 방법 |
| 20차시 | 물리적 기상 증착 | 1. 물리적 기상 증착(PVD)의 원리와 반도체 공정에서의 역할 2. 다양한 스퍼터링(Sputtering) 방식과 그 특성 (DC, Magnetron, Reactive Sputtering) 3. Sputtering 공정 운전 변수(압력, 전력, 기판 온도)가 증착 품질에 미치는 영향 |
| 21차시 | 화학적 기상 증착 - 개요 | 1. 화학 기상 증착(CVD)의 원리와 박막 형성 메커니즘 2. CVD 공정의 주요 조건과 박막 품질에 미치는 영향 3. 화학 기상 증착 공정의 종류(APCVD, LPCVD, PECVD)와 특성 비교 |
| 22차시 | 화학적 기상 증착 - 공정 및 설비 | 1. 다양한 CVD 반응기(Reactor) 유형과 각각의 특성 2. AP-CVD, LP-CVD, PE-CVD, HDP-CVD 공정의 원리 및 차이점 3. CVD 공정 방식별 특징과 장단점 비교 |
| 23차시 | 원자층 증착 공정(ALD) | 1. 원자층 증착(ALD)의 원리와 자기 제한적(Self-Limited) 반응 메커니즘 2. ALD와 CVD의 차이점 및 각 공정의 특성 비교 3. PE-ALD(Plasma Enhanced ALD) 및 ALD의 생산성 향상 대책 |
| 24차시 | ★최종 실습과제 안내★ 박막 증착 공정 | 1. 스퍼터링(Sputtering)과 PE-CVD 공정의 원리 및 특성 비교 2. 웨이퍼 내 박막 두께 데이터 분석을 통해 균일도 및 공정 변수가 박막 형성에 미치는 영향 평가 3. LPCVD(Low-Pressure CVD) 공정에서 온도, 압력, 가스 유량이 박막 특성에 미치는 영향 분석 |
[수료기준] 진도율 80% 이상, 과제 1회 (평가비율 100% 반영) · NCS 수료증 발급
1.반도체 기초 개념(PN접합, MOSFET, 리소그래피 등)을 처음 배우는 비전공자
2.이론-공정-장비 연계를 통해 직무 기초를 다지고자 하는 취업준비생
3.FAB 공정 흐름과 소자 특성을 실무적으로 이해하고 싶은 전공자
4.디스플레이·센서·소재 등 인접 분야 종사자 및 품질·장비 직무 전환자
5.신기술(EUV 등)과 데이터 해석 역량을 갖추고자 하는 예비·현직 엔지니어
1.반도체 물성과 주요 소자의 동작 원리를 이해하고 구조·특성을 설명할 수 있다.
2.PN접합 다이오드와 MOSFET의 전기적 특성과 동작 영역을 해석할 수 있다.
3.포토·식각·박막 증착 등 핵심 공정의 원리와 주요 변수를 설명할 수 있다.
4.각 공정 장비의 특성과 품질에 영향을 미치는 파라미터를 분석할 수 있다.
5.실습 기반 데이터 분석을 통해 소자 성능 최적화 및 공정 개선 능력을 강화할 수 있다.
서재범 선생님
前) SK하이닉스 제품개발 총괄, 수석연구원
前 SK하이닉스 전공면접관 출신
前 SK하이닉스 사내대학 강의 경력 有
前 L반도체, S반도체 총 14년 이상 경력
前) 솔브레인멤시스(주) 상무이사
35시간 · 24강
비전공자 입장에서 조금 이해가 어려운 부분이 있어서 ai에게 질문해보면서 공부했는데 그래도 점점 반도체 공정에 대해 윤곽이 잡히게 되었습니다. 그리고 과제에 대해서 풀이 방법 같은 걸 강의 영상으로 풀이해주면 더 좋았을 것 같습니다.
한 달간 온라인 실습 입문 강의를 수강했습니다. 강의는 크게 4 파트로 구분되어 있습니다 : 반도체 소자, 공정 3가지 ( 식각,박막, 증착 ) 한 강의당 보통 20~30분 정도 분량이고, 강의가 끝나면 학습한 내용을 확인할 수 있는 간단한 예제와 퀴즈들이 제공됩니다. 강의 노트의 슬라이드에 있는 설명이나 그림 및 자료들에 대해 꼼꼼히 설명해주셨습니다. 파트가 끝날 때 마다 실습 과제가 있습니다. 학습한 내용에 대한 개념 확인 수준의 예제부터, 적용 및 실제 데이터를 바탕으로 배운 내용을 분석하는 심화 과제까지 제공됩니다. 과제를 해결하는 과정에서 배운 내용을 좀 더 체화하고 이해를 높이는데 도움을 받았습니다. 전반적으로 반도체 분야에 입문을 희망하거나, 유관 전공의 3,4학년 학생들에게 추천하는 강의입니다.
최우선적으로 내일배움카드를 발급 받으셔야합니다.
실물 카드를 받으신 이후 고용24 수강신청과 윈스펙 수강신청 및 결제까지 진행이 필요합니다.
수강 전일까지 수강취소 가능하며, 이후에는 수강 기간에 따라 환불 금액이 변동됩니다.
[자부담금 환불 기준]
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지원내용
국민내일배움카드 훈련비 지원 한도(5년간 300~500만원) 외 50만원(지급 후 1년 한도)의 크레딧 추가 지급됩니다.
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크레딧 잔액이 남은 경우 1회에 한하여 잔액을 초과하는 훈련도 추가부담없이 수강 가능
[예시] 크레딧 잔액이 10만원이고, 수강을 희망하는 과정 훈련비가 20만원인 경우 크레딧 10만원 사용 + 자부담 2만원(훈련비의 10%)만으로 수강 가능 |
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⚠ 유의사항 — 본 강의는 KDC·내일배움카드·NCS 위탁 등 강의 유형에 따라 지원율이 다르며, 본인의 취업 상태·직종 우대 여부에 따라서도 본인부담금이 달라질 수 있습니다. 정확한 지원율은 고용24 공식 홈페이지에서 본인 자격을 확인하거나, 결제 단계의 자동 산정 금액을 참고하세요. 수료 기준 미달 시 정부 지원이 취소되어 수강료의 일부를 환수당할 수 있습니다.