한 번에 끝내는 반도체 소자·공정·메모리

전반적인 반도체 관련 지식과 메모리 소자 분야에 대한 학습을 진행하는 과정

• 반도체 소자의 존재는 알지만 SRAM·DRAM·NAND Flash의 셀 구조와 동작 원리를 체계적으로 배운 적 없는 학습자
• 반도체 산업 취업을 준비하거나 메모리 설계·소자 직무로 전환을 고려하는 이공계 전공자
• 메모리(SRAM/DRAM/NAND) 설계 또는 관련 부서에 배치되었거나 배치 예정인 신입 엔지니어

• 반도체 기본 물리 개념과 PN접합·MOSFET 등 기본 소자의 구조 및 동작 원리를 설명할 수 있다.
• 컴퓨터 시스템 내 메모리 계층 구조를 이해하고 SRAM(6T)·DRAM(1T1C)의 셀 구조와 대기·쓰기·읽기 동작 원리를 설명할 수 있다.
• DRAM의 리프레시 동작 원리와 집적도 확보를 위한 기술적 접근 방식을 이해할 수 있다
• 낸드플래시의 셀 구조, 프로그램·소거·읽기 동작 원리와 SLC/MLC/TLC, 2D/3D낸드 특성 차이를 파악하고 SRAM/DRAM/NAND를 종합적으로 비교할 수 있다.

서재범 선생님

前) SK하이닉스 제품개발 총괄, 수석연구원

前 SK하이닉스 전공면접관 출신

前 SK하이닉스 사내대학 강의 경력 有

前 L반도체, S반도체 총 14년 이상 경력

前) 솔브레인멤시스(주) 상무이사